技術(shù)創(chuàng)新
單晶摻雜POI晶圓
可提供從10nm到1000nm的基于絕緣層上的單晶壓電外延
通過嚴(yán)格的應(yīng)力控制獲得優(yōu)良一致性的K2eff
完整晶圓級薄膜轉(zhuǎn)移工藝
最高可達(dá)35%的單晶摻鈧氮化鋁
厚度均方差小于1nm
先進(jìn)封裝
? 自有專利保護(hù)的超薄CSP封裝-封裝厚度可減少至0.4mm
? 自有專利晶圓級封裝結(jié)合 Bump-on-Via 結(jié)構(gòu)-既無TSV，也無RDL
? 極高環(huán)保特質(zhì)的先進(jìn)封裝工藝- 具有SAW封裝工藝的FBAR
? 超薄無芯基板-一流的疊層厚度控制
超級IDM
? 擁有自己的設(shè)計、前端工藝、后端工藝和RF測試團(tuán)隊。
? 自有fab廠制造單晶的晶圓片
? 自有設(shè)計、工藝和制程調(diào)控晶圓性能
? 擁有完整的全流程工藝技術(shù)
